MicroLED是一种自发光显示技术，省道采用微米（μm）级、比头发还细的超小型LED元器件，无需背光或滤色片即可实现发光以及着色。
与半导体相比，改宫金属电阻率远低于半导体。造分R+和R-分别为正/负电场中的电阻值。
段推红外测量的等离子共振光吸收。进济不同温度下的电阻驰豫。以一台10万片芯片的超级计算机为例，南仲假设每片功耗均为125瓦，10万片功耗将高达12.5兆瓦，相当于一个10万人口的城市的用电量。
半导体器件的诞生，桥东极大的改变了我们的生活方式，以至于我们想花更多的钱去追求更好的性能。进一步研究表明，侧建其半导体带隙恰好等于双金属费米能级之差，且与等离子共振所吸收的热红外光能量相同。
此外，新桥随着功耗的降低，芯片散热将不再是问题，其计算速度还有望得到大幅度提升。
若采用该技术，省道其功耗将降为原来的千分之一以内，仅相当于几台空调的耗电量。图二、改宫单金属SAC特性的相关性分析©2022SpringerNatureLimited（a）SAs与其第一壳元素的键长。
图四、造分含有12种不同金属元素的SAC的表征和OER性能©2022SpringerNatureLimited （a）原子分辨率的HAADF-STEM图像。2、段推利用该库为SACs开辟了复杂的多金属相空间，段推并证明了使用单原子锚定位点作为结构单元组装具有多达12种不同元素的成分复杂的SACs材料，且没有基本限制。
此外，进济作者利用该库为SACs打开了复杂的多金属相空间，进济并证明了使用单原子锚定位点作为结构单元组装具有多达12种不同元素的成分复杂的SACs材料，且没有基本限制。南仲（c）原位MoK-edgeFT-EXAFS光谱。
